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Philips Semiconductors
TOPFET dual high side switch
SWITCHING CHARACTERISTICS
T mb = 25 ?C, V BG = 13 V, for resistive load R L = 13 ? per channel.
Product specification
BUK218-50DY
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
During turn-on
from input going high
t d on
dV/dt on
t on
Delay time
Rate of rise of load voltage
Total switching time
to 10% V L
30% to 70% V L
to 90% V L
-
0.5
-
30
1
100
-
2
400
μ s
V/ μ s
μ s
During turn-off
from input going low
t d off
dV/dt off
t off
Delay time
Rate of fall of load voltage
Total switching time
to 90% V L
70% to 30% V L
to 10% V L
-
0.5
-
20
1
40
-
2
200
μ s
V/ μ s
μ s
CAPACITANCES
T mb = 25 ?C; f = 1 MHz; V IG = 0 V
SYMBOL
C sg
PARAMETER
Status capacitance
CONDITIONS
V SG = 5 V
MIN.
-
TYP.
11
MAX.
15
UNIT
pF
per channel
C ig
C bl
Input capacitance
Output capacitance
V BG = 13 V
V BL = 13 V
-
-
15
265
20
375
pF
pF
May 2001
7
Rev 1.400
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